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硅片的抛光处理
为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面,必须进行抛光,以除去残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光,较普遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行,分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠(或有机碱)和水配制成胶体抛光液。在抛光过程中,氢氧化钠与硅表面反应生成硅酸钠,通过与二氧化硅胶体的磨削,硅酸钠进入抛光液,两个过程不停顿地同时进行而达到抛光的目的。根据不同要求,可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光(粗抛光、中间抛光和精抛光)。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求,已有无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。